Отличительной особенностью метода атомно-слоевого осаждения (ALD – atomic layer deposition) является возможность осаждения тонких диэлектрических или металлических пленок, толщиной в несколько десятков или сотен ангстрем, с высокой равномерностью по толщине (менее 1%), воспроизводимостью и конформностью пленки на плоских и 3D структурах с высоким аспектным соотношением. Для получения тонких пленок используются прекурсоры, которые попеременно подаются в рабочую камеру и за счет химической реакции с подложкой и между собой, под воздействием температуры (TALD - Thermal Atomic Layer Deposition) или плазмы (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition), формируют наноразмерный слой. Количество ALD циклов определяет итоговую толщину пленки. Помимо осаждения пленок на твердые и гибкие подложки, технология атомно-слоевого осаждения позволяет осаждать тонкие пленки на порошковые и гранулированные материалы.

Атомно-слоевое осаждение широко применяется в наноэлектронике для формирования high-k диэлектрических слоев (Al2O2, HfO2, ZrO2, Ta2O5, La2O3, HfAlO, HfAlON, SrTiO3, BST, PZT), DRAM конденсаторов, графеновых транзисторов, проводящих электродов (Ir, Pt, Ru, TiN, TaN), металлических межсоединений и барьерных слоев (Cu, WN, TaN, WNC, Ru, Ir); в оптоэлектронике для осаждения прозрачных электродов (ZnO:Al, ITO), УФ-защитных покрытий (ZnO, TiO2), анти-отражающих покрытий, пассивирующих слоев и оптических фильтров (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5), электролюминесцентных слоев (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce); в нанофотонике (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta2N5); осаждение биомедицинских пленок (TiN, ZrN, CrN, TiAlN, AlTiN); нанокатализаторы (TiO2, V2O5, Pt, Ir, Co), получение углеродных нанотрубок и нанопроволок, нанопорошки.

Установки атомно-слоевого осаждения

Компания «Диполь» предлагает установки атомно-слоевого осаждения с ручной или автоматической загрузкой пластин диаметром до 300 мм. При необходимости, несколько рабочих модулей могут быть объединены в кластер для последовательного осаждения тонких пленок в одном цикле. Также, доступны установки атомно-слоевого осаждения для обработки порошковых материалов.