Компания Agilent Technologies представила первое в отрасли решение для моделирования силовых полупроводниковых приборов
Компания Agilent Technologies объявила о расширении возможностей САПР IC-CAP до полной поддержки характериографа/анализатора силовых полупроводниковых приборов B1505A, включая новые мощные и сильноточные модули источников/измерителей.

Это усовершенствование позволяет измерять характеристики силовых полупроводниковых приборов непосредственно на платформе IC-CAP и выполнять экстракцию параметров силовых КМОП приборов для таких моделей, как HiSIM_HV. САПР IC-CAP и анализатор B1505A образуют первое в отрасли решение для моделирования силовых полупроводниковых приборов и могут точно и эффективно моделировать силовые приборы в диапазоне от пА до 10 кВ/1500 A.

Кроме того, компания Agilent объявила, что ПО EasyEXPERT, которое работает на встроенной в B1505A операционной системе Windows 7, поддерживает теперь преобразование файлов MDM. MDM – это формат, который широко используется инженерами, занятыми моделированием, для импорта и экспорта в рамках платформы IC-CAP.

ПО EasyEXPERT поддерживает эффективное и воспроизводимое измерение параметров полупроводниковых приборов с помощью нескольких сотен готовых тестов. Благодаря новому конвертору файлов MDM, инженеры могут теперь выполнять измерения на B1505A, а затем легко конвертировать данные в формат MDM для применения в симуляторе IC-CAP в процессе моделирования полупроводниковых приборов. Возможность измерения характеристик силовых приборов непосредственно из IC-CAP или путем импорта результатов измерений через EasyEXPERT существенно повышает эффективность процесса моделирования.

«Несмотря на появление новых моделей для силовых полупроводниковых приборов, исследователи и производители продолжают использовать устаревшие решения для моделирования, – сказал Масаки Ямамото (Masaki Yamamoto), генеральный менеджер отдела тестирования полупроводниковых приборов Agilent в Хатиодзи. – Наше улучшенное решение IC-CAP и B1505A предоставляет инженерам возможности, необходимые им для моделирования современных силовых полупроводниковых приборов. Наконец, инженеры получили решение, отвечающее всем актуальным требованиям моделирования».

Прочие новости и статьи