Новое производство заявлено, как единственный в России научно-промышленный центр, объединяющий компетенции сразу по трем технологиям — изготовлению базовых элементов продукции на основе фосфида индия, кремния-германия и кремния на изоляторе.
На территории первого в России производства фотонных интегральных схем (ФИС) будут изготавливаться устройства, позволяющие стократно повысить скорость передачи данных. Среди ключевых преимуществ ФИС:
· высокая скорость (свыше 100 гигабит) передачи и обработки информации: фотонные схемы могут работать на частотах, недоступных электронной технике;
· компактность и снижение энергопотребления: интеграция сразу нескольких функций на одном чипе уменьшает габариты устройств и их энергозатраты;
· критическая важность для развития квантовых технологий, современных телекоммуникаций и новых вычислительных платформ.
Изделия Центра должны стать основой для внедрения в России технологий 5G, развития беспилотного транспорта, строительства новых центров обработки данных. Эта продукция будет востребована в телекоммуникациях, космической связи, биомедицине, а также в сфере искусственного интеллекта. Кроме того, ФИС московского производства станут ключевым элементом центров обработки данных нового поколения. Это позволит перейти на отечественную компонентную базу и обеспечить технологический суверенитет страны, а также высокий уровень защищенности и устойчивости критической информационной инфраструктуры.
В перспективе в Московском центре фотоники наладят выпуск оптических модулей — микросборок для компактных электронных устройств для высокоскоростной передачи данных по оптоволокну. Благодаря своим размерам и высокотехнологичной конструкции они упрощают подключение сетевого оборудования — например, серверов, коммутаторов, маршрутизаторов — к оптоволоконным линиям связи.
Центр сможет выпускать до 500 тысяч изделий в год.
Первые шесть месяцев предприятие будет работать в тестовом режиме. Перевести центр в промышленную эксплуатацию планируется с 1 июня 2026 года.
Площадь предприятия — 26,7 тысячи квадратных метров. В ходе его строительства специалисты проложили 12 километров внутренних инженерных коммуникаций. В результате объект обеспечен шестью мегаваттами электроэнергии, из которых два мегаватта (30 процентов) отводят под резерв для обеспечения бесперебойной работы центра.
Около 20 процентов площади здания (шесть тысяч квадратных метров) занимают помещения особо высокого класса чистоты ISO 5, ISO 6 и ISO 7, соответствующие международным стандартам. Такие помещения обеспечивают строгий контроль температуры и влажности, а также минимальный уровень содержания в воздухе различного рода частиц, которые могут негативно влиять на качество работы оборудования и изготавливаемой на нем продукции.
Центр оснастили современным высокотехнологичным оборудованием (57 единиц), которое позволит осуществлять уникальные технологические операции. На площадке центра размещен уникальный для страны комплекс оборудования, эмерджентность которого позволяет серийно производить ФИС со скоростями 400 Гбит/с и более. В том числе в функционал комплекса входят проекционная литография до 90 нм, ионная имплантация, эпитаксия SiGe фотодекторов, а также установки плазмохимического травления, химико-механической полировки и прочее высокотехнологическое оборудование.
В Московском центре фотоники планируется к внедрению первая в мире технология, обеспечивающая монолитную интеграцию базовых элементов фотонной интегральной схемы и лазера на единой подложке. Такой подход исключает необходимость гибридной сборки и открывает новые возможности для создания оптических систем. Развитие подобных технологий — часть плана по технологическому прорыву, основанному на уникальных для мировой практики решениях в области обработки и передачи данных со скоростью до 3,2 терабита в секунду. Ни одна страна еще не внедрила полностью эти технологии.
При участии ГК «Диполь» мощности нового Центра оборудованы следующими технологическими решениями:
· установки для жидкостной обработки пластин как ванного типа (групповая обработка), так и поштучной;
· кластерная установка осаждения вольфрама;
· кластер магнетронного напыления металлов;
· установка безмасковой литографии;
· установка сортировки кристаллов;
· эллипсометр и рефлектометр для контроля толщины и оптических свойств пленок диэлектриков.
Рис. 4. Спектральный эллипсометр
Рис. 5. Установка сортировки кристаллов
Рис. 6. Установки жидкостной обработки пластин ванного типа
Справка
Особая экономическая зона «Технополис Москва» — территория с особым юридическим статусом, на которой действует льготный режим предпринимательской деятельности для инвесторов. ОЭЗ была создана в 2006 году, но ее активное развитие началось после передачи проекта Правительству Москвы в 2016-м. За девять лет ОЭЗ «Технополис Москва» стала крупнейшей в России как по объему инвестиций, так и по площадям работающих предприятий.
Ее резиденты освобождаются от имущественного, транспортного и земельного налогов на 10 лет с момента получения такого статуса. Ставка налога на прибыль для них составляет всего два процента. Действуют режим свободной таможенной зоны и льготы по аренде земли. По завершении строительства объекта недвижимости предоставляется возможность выкупить арендуемый земельный участок за один процент от его кадастровой стоимости.
Сегодня в ОЭЗ локализовано более 230 высокотехнологичных предприятий, из которых свыше 120 имеют статус резидента. Создано более 28 тысяч рабочих мест. Сформированы четыре межотраслевых кластера: фармацевтический, электромобилестроения, фотоники и микроэлектроники, беспилотных авиационных систем.
Площадь 10 площадок, на которых размещаются высокотехнологичные предприятия, превышает 390 гектаров. В настоящее время в ОЭЗ построено свыше двух миллионов квадратных метров промышленных и общественно-деловых площадей. К 2030 году планируется увеличить площади почти втрое — до 5,6 миллиона квадратных метров.
При подготовке статьи использованы материалы www.mos.ru
