Описание
Арсенид индия является узкозонным полупроводником с кубической структурой цинковой обманки с тетраэдрическим расположением атомов и прямым оптическим переходом в центре зоны Бриллюэна (Г-точка).
Как один из видов монокристаллической подложки, арсенид индия должен иметь низкую плотность дислокаций, хорошую целостность решетки, соответствующие электрические параметры и высокую однородность. Основным методом выращивания этого материала является классический метод вытягивания капсулы с жидкостью (LEC).
Применение
Монокристалл арсенида индия (InAs) широко используется в качестве материала подложки для материалов с гетеропереходом (InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb), которые используются при создании инфракрасных излучающих устройств с длиной волны 2–14 мкм.
Арсенид индия (InAs) также можно использовать в качестве материала подложки для эпитаксиального роста материалов сверхрешетчатой структуры AlGaSb для средневолнового инфракрасного квантового каскадного лазера (ККЛ). InAs широко используется в мониторинге газа, оптоволоконной связи с низкими потерями.
Обладая высоким коэффициентом подвижности, это идеальный материал для полупроводников Холла.
Спецификация
Подложки InAs с другими параметрами также доступны по запросу. Производство: Китай. Также доступны эпитаксиальные структуры на основе подложек InAs и других полупроводников группы A3B5.
