Описание
Карбид кремния — единственное полупроводниковое бинарное соединение АIVВIV. Ширина запрещенной зоны для кристаллов SiC составляет 2,39 эВ, а для различных модификаций SiC она может иметь значение в пределах от 2,72 до 3,34 эВ.
Большие значения ширины запрещенной зоны позволяют создавать на его основе полупроводниковые приборы, сохраняющие работоспособность при температуре до 600 °С.
Применение
Монокристаллический SiC используют для изготовления радиационно-стойких светодиодов, обладающих очень высокой надежностью и стабильностью работы.
Карбид кремния можно использовать для изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высокой энергии, терморезисторов, а на основе пленок аморфного SiC — светодиоды и солнечные элементы. SiC — перспективный полупроводниковый материал для высокотемпературной и высокочастотной электроники.
На основе карбида кремния создаются высоковольтные диоды, MOSFET-транзисторы, IGBT-транзисторы и тиристоры с рабочим напряжением до 10 кВ.
Спецификация
Подложки SiC с другими параметрами также доступны по запросу. Производство: Китай, Малайзия, Турция. Также доступны слитки и эпитаксиальные структуры на основе SiC.
