Описание
Монокристаллический кремний – основа для производства полупроводниковых приборов. ИМЭ на основе Si составляет 98% всех производимых в мире полупроводниковых приборов.
Кремний имеет оптимальное значение ширины запрещенной зоны, которая обусловила достаточно низкую концентрацию собственных носителей и высокую рабочую температуру.
Применение
Полупроводники из кремния широко применяются для создания интегральных микросхем, биполярных и полевых транзисторов, приборов с зарядовой связью, быстродействующих фотодиодов и многих других устройств. А продукты на основе кремния, такие как MOSFET или IGBT-транзисторы с суперпереходом, можно использовать в широком диапазоне напряжений (от единиц до нескольких сот вольт) и в различных классах мощности.
Спецификация
Подложки Si с другими параметрами доступны по запросу. Доступны слитки и эпитаксиальные структуры на основе Si. Производство: Китай.
