Сапфир представляет собой многофункциональный кристаллический материал с превосходными свойствами: хорошей термостабильностью, высокой теплопроводностью, высокой твердостью, высоким коэффициентом пропускания в инфракрасном диапазоне длин волн, малым значением диэлектрической проницаемости и высокой химической и термической стойкостью.
В качестве подложек интегральных микросхем, оптоэлектроники, микроэлектроники сапфир даёт возможность решить задачи повышения надёжности и стабильности параметров электронных устройств при работе в жёстких условиях эксплуатации (инертность, радиационная стойкость, высокие и низкие температуры, высокие механические нагрузки, ионизирующие излучения и другие).
Подложки используются для эпитаксии полупроводниковых плёнок (Si, GaN, AlGaN и многих других).
Производство: Китай. Также доступны слитки, эпитаксиальные структуры и паттернированные подложки сапфира.