Сапфир представляет собой многофункциональный кристаллический материал с превосходными свойствами: хорошей термостабильностью, высокой теплопроводностью, высокой твердостью, высоким коэффициентом пропускания в инфракрасном диапазоне длин волн, малым значением диэлектрической проницаемости и высокой химической и термической стойкостью.

Применение

В качестве подложек интегральных микросхем, оптоэлектроники, микроэлектроники сапфир даёт возможность решить задачи повышения надёжности и стабильности параметров электронных устройств при работе в жёстких условиях эксплуатации (инертность, радиационная стойкость, высокие и низкие температуры, высокие механические нагрузки, ионизирующие излучения и другие).

Подложки используются для эпитаксии полупроводниковых плёнок (Si, GaN, AlGaN и многих других).

Спецификация

Сапфир (Al2O3)

Производство: Китай. Также доступны слитки, эпитаксиальные структуры и паттернированные подложки сапфира.

×

Этот веб-сайт использует файлы cookie для более удобной работы пользователей. Использование файлов cookies позволит в будущем улучшить функционал данного сайта. При работе с данным веб-сайтом Вы принимаете решение об использовании файлов-cookie. Вы можете ознакомиться с Политикой использования файлов cookie