Описание
SOI (Silicon on Insulator, кремний на изоляторе) пленки представляют собой трехслойную подложку, состоящую из монолитной кремниевой пластины, диэлектрика и размещённого на нём тонкого поверхностного слоя кремния.
В качестве диэлектрика может выступать диоксид кремния SiO2 или, гораздо реже, сапфир (в этом случае технология называется «кремний на сапфире»).
Применение
Кремний на изоляторе применяется в МЭМС системах, устройствах питания и в полупроводниковой промышленности, при производстве центральных процессоров.
Спецификация
SOI струтуры с другими параметрами также доступны по запросу.
