Описание
Ионная имплантация (ионное легирование) широко применяется в процессе производства КМОП интегральных схем, биполярных транзисторов, микропроцессоров, элементов памяти. Установки применяеются для введения в структуру полупроводникового материала определенного количества примеси (дозы) n или p-типа, на этапе формирования сток/истоковых областей транзистора, затвора, карманов разного типа проводимости.
В зависимости от технических параметров установки ионной имплантации делятся на следующие типы:
Как правило, имплантеры с высокими ионными токами применяются для процессов, где требуется низкие энергии ионов или высокие дозы легирования; имплантеры со средними ионными токами – когда необходимы небольшие дозы легирования; имплантеры с высокими энергиями – когда требуется глубокая ионная имплантация.
В зависимости от доступного бюджета, возможны как новые, так и полностью восстановленные производителем модели установок ионной имплантации для работы с пластинами диаметром от 100 до 300 мм.
Преимуществами данных имплантеров является:
Показать еще
В зависимости от технических параметров установки ионной имплантации делятся на следующие типы:
- имплантеры с высокими ионными токами (до 25мА)
- имплантеры со средними ионными токами (до 4 мА)
- имплантеры с высокими энергиями (до 8000 кэВ)
Как правило, имплантеры с высокими ионными токами применяются для процессов, где требуется низкие энергии ионов или высокие дозы легирования; имплантеры со средними ионными токами – когда необходимы небольшие дозы легирования; имплантеры с высокими энергиями – когда требуется глубокая ионная имплантация.
В зависимости от доступного бюджета, возможны как новые, так и полностью восстановленные производителем модели установок ионной имплантации для работы с пластинами диаметром от 100 до 300 мм.
Преимуществами данных имплантеров является:
- возможность использования низких доз легирования до 1e11/см2
- высокоточный контроль количества легируемой примеси
- низкий уровень привносимых дефектов
- высокая равномерность (≤ 1%) легирования по пластине и от пластины к пластине
- надежность, безопасность и удобство эксплуатации
Сравнительная таблица основных характеристик установок ионной имплантации
| Тип имплантера | С высоким ионным током (High current) | Со средним ионным током (Medium current) | С высокой энергией (High energy) |
| Легирующие ионы | B, BF2, P, As | B, BF2 (зависит от модели), P, As | B, P, As |
| Тип обработки пластин |
Одиночная/групповая (зависит от модели) |
Одиночная |
Одиночная/групповая (зависит от модели) |
| Тип загрузки | Из кассеты | ||
| Размер пластин | Ø100, Ø150, Ø200, Ø300 мм (в зависимости от модели) | ||
| Энергия ионов |
0,2 – 50 кэВ 0,2 – 70 кэВ 0,2 - 80 кэВ 1 – 80 кэВ 2 - 90 кэВ 2 – 180 кэВ |
5 - 750 кэВ 5 - 960 кэВ |
10 - 3000 кэВ 10 – 4600 кэВ 10 – 8000 кэВ |
| Охлаждение пластины | ≤ 100 °C | ||
| Однородность легирования | ≤ 1% | ||
