Описание
Установка MCV-530L позволяет избежать дорогостоящих процессов формирования контакта Шоттки, благодаря наличию безопасного и автоматизированного ртутного зонда с пневматическим управлением. Система имеет высоко воспроизводимую область контакта и использует только небольшое количество ртути для проведения воспроизводимых C-V и I-V измерений для разработки и контроля технологических процессов. В основном, метод измерения ртутным зондом (Mercury C-V) применяется для контроля электрических параметров диэлектрических (low-k, high-k диэлектрики) и эпитаксиальных слоев Si, SiC, GaAs, GaP, InP. Подходит для научно-исследовательских разработок и мелкосерийного производства. Для производств с высокой степенью автоматизации доступны модели с автоматической загрузкой подложек из кассеты. Доступны тестовые измерения образцов в лаборатории производителя.
Измеряемые параметры:
- профиль легирования эпитаксиального слоя, N(x)
- профиль удельного сопротивления эпитаксиального слоя, p(x)
- электрические параметры подзатворного диэлектрика (CET, EOT, VFB, VT, QEFF, k Dit) при C-V измерениях
- электрические параметры диэлектриков с высокой и низкой диэлектрической проницаемостью при I-V измерениях (IL, VBD, FBD, tBD, QBD, Vmax)
Технические характеристики
| Режимы измерений | C-V (диэлектрики, Epi-слои, HEMT транзисторы) I-V (диэлектрики) Q-V измерения МДП-структур |
| Измеряемые параметры, C-V метод | EOT – эквивалентная толщина окисла (equivalent oxide thickness) VFB – напряжение плоских зон (Flat band voltage) VT – пороговое напряжение QEFF – эффективный заряд окисла k – диэлектрическая проницаемость Dit - плотность поверхностных состояний (Interface state density) CET – емкостная толщина (Capacitive effective thickness) |
| Измеряемые параметры, I-V метод | IL – ток утечки диэлектрика (Dielectric Leakage Current) VBD – напряжение пробоя (Breakdown voltage) FBD – поле пробоя (Field to breakdown) tBD – время пробоя диэлектрика (Time to dielectric breakdown) QBD – заряд пробоя (Charge to breakdown) Vmax – максимальное напряжение пробоя |
| Размер подложки | От 40х40 мм до Ø200 мм (опция Ø300 мм) |
| Загрузка подложек | Ручная (опционально автоматическая) |
| Удельное сопротивление epi-Si | N-тип: 0.1 - 100 Ом∙см P-тип: 0.24 - 330 Ом∙см |
| Концентрация носителей | Epi-Si: 4e13 – 8e16 см-3 Epi-SiC: 1e14 – 1e19 см-3 |
| Диэлектрическая проницаемость | 1 - 3.9 (для low-k) ≥ 3.9 (для high-k) |
| Диапазон смещений (DC) | -1100В…+1100В |
| Управление | Автоматическое на базе OS Windows |
