Описание
Установка низкотемпературного плазмохимического осаждения Takachi HDPCVD компании Plasma-Therm — это современная, универсальная, надежная система низкотемпературного плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме, которая идеально подходит для решения широкого спектра технологических задач в области микроэлектроники.
Takachi HDPCVD — последняя разработка компании Plasma-Therm, в которой применены промышленные технологии оборудования компании Plasma-Therm. Высокая производительность и низкая стоимость обслуживания установки Takachi HDPCVD позволяют использовать ее как для R&D-лабораторий, так и для пилотного производства.
Особенностью установки Takachi HDPCVD является ICP-электрод, способствующий осаждению покрытия в высокоплотной плазме (HDPCVD-процесс). При этом рабочая температура подложки может быть понижена от +350…400 С (PECVD) вплоть до комнатной. Как правило, используется температура менее +150 С. Низкая температура подложки позволяет получать пленки более высокого качества. Это, например, необходимо при заполнении диэлектриком рельефных поверхностей — ступеней, отверстий и других.
Установка Takachi HDPCVD в базовой комплектации оснащена автоматическим вакуумным шлюзом, что позволяет эффективно проводить процесс осаждения практически всех типов материалов, которые применяются на микроэлектронных производствах:
Ключевые преимущества установки Takachi HDPCVD:
Показать еще
Takachi HDPCVD — последняя разработка компании Plasma-Therm, в которой применены промышленные технологии оборудования компании Plasma-Therm. Высокая производительность и низкая стоимость обслуживания установки Takachi HDPCVD позволяют использовать ее как для R&D-лабораторий, так и для пилотного производства.
Особенностью установки Takachi HDPCVD является ICP-электрод, способствующий осаждению покрытия в высокоплотной плазме (HDPCVD-процесс). При этом рабочая температура подложки может быть понижена от +350…400 С (PECVD) вплоть до комнатной. Как правило, используется температура менее +150 С. Низкая температура подложки позволяет получать пленки более высокого качества. Это, например, необходимо при заполнении диэлектриком рельефных поверхностей — ступеней, отверстий и других.
Установка Takachi HDPCVD в базовой комплектации оснащена автоматическим вакуумным шлюзом, что позволяет эффективно проводить процесс осаждения практически всех типов материалов, которые применяются на микроэлектронных производствах:
- Диэлектрики: SiO2, SiNx, SiOxNy;
- Полупроводниковые материалы: SiC, a-Si.
Ключевые преимущества установки Takachi HDPCVD:
- Температура процесса осаждения менее +150 С (стандартно +10...180 С);
- Максимальный размер обрабатываемой подложки 200 мм (поштучная обработка, наличие вакуумного шлюза в базовой комплектации).
- Равномерность осаждаемого покрытия по толщине и воспроизводимость результатов от пластины к пластине: типично лучше ±2%.
- Повышенная безопасность и чистота процесса за счет шлюзовой загрузки.
- В комплекте с установкой поставляется библиотека стандартных технологических процессов, которые гарантируются производителем.
- Простой, интуитивно понятный интерфейс.
- История аварийный сообщений, контроль рецептов в процессе работы — вывод данных о процессе на дисплей в режиме реального времени.
- Программное обеспечение позволяет записывать параметры процессов для дальнейшего анализа.
- Многоуровневый доступ пользователей.
- Возможность удаленного управления и контроля состояния системы.
- Наличие различных вариантов системы отслеживания окончания процесса (OES, OEI, LEPD).
- Современная архитектура на основе ПЛК и DeviceNet: безопасная работа, легкая диагностика и минимальное количество проводов.
- Простота использования и обслуживания.
- Малая занимаемая площадь <1 м2.
- Возможность установки через стену чистого производственного помещения.
- Возможность изготовления опций и оснастки «под заказ».
Основные технические характеристики установки Takachi HDPCVD
| Размер электрода | Для пластин до 200 мм в диаметре |
| Загрузка | Поштучная шлюзовая загрузка, автоматический шлюз. Возможна групповая обработка на специальном носителе |
| Температура электрода | +10...180 °С |
| Материал электрода | Алюминий |
| Тип прижима | Мягкий механический, охлаждение гелием |
| Тип плазмы | Индуктивно-связанная |
| ВЧ-генератор |
RIE: 300 Вт, 13,56 МГц. Опционально 600 Вт, 13,56 МГц ICP: 1200 Вт, 2 МГц. Опционально 2000 Вт, 2 МГц |
| Вакуумная камера | Изготовлена из цельного блока алюминия. Опциональная внешняя система прогрева |
| Откачная система |
Форвакуумный насос 100 м3/ч, безмасляный Турбомолекулярный насос 700 л/с Возможна установка других насосов по ТЗ заказчика |
| Уровень вакуума | <10-6 торр |
| Контроль давления процесса | Автоматический |
| Газовые линии с цифровыми РРГ | 4 линии (стандартно). Опционально до 20 линий |
| Система контроля, ПО | ПЛК (XP/Windows 7), DeviceNet |
| Электропитание | 380 В, 50 Гц, 3 фазы |
| Габариты установки (Ш×Г×В) |
685×1388×2063мм с газовым шкафом на каркасе 685×1388×1250мм без газового шкафа на каркасе Возможно размещение газового шкафа отдельно от каркаса установки |
| Сертификация | CE, SEMI-2, S8 |
Основные опции
- Система отслеживания окончания процесса:
- Оптическая эмиссионная спектроскопия (OES)
- Оптическая эмиссионная интерферометрия (OEI)
- Лазерная интерферометрия (LEPD)
- Дополнительные газовые линии (до 20 в сумме),
- Специальные держатели образцов,
- Нагреватели вакуумной камеры и вакуумного тракта,
- Удаленный мониторинг состояния системы SECS/GEM,
- Пакет для установки через стенку ЧПП,
- Размещение газового шкафа отдельно от каркаса установки,
- Расширенная гарантия производителя,
- Специальные опции под заказ
