В установке CV-1500 реализуется бесконтактный принцип измерения C-V и I-V характеристик МДП -структур, основанный на запатентованной технологии коронного разряда и зонда Кельвина (патент Semilab SDI). Важнейшими отличительными особенностями технологии, в сравнении с контактными методами измерений электрических параметров, является отсутствие необходимости формирования металлического контакта к поверхности и неразрушающий характер измерений. Это позволяет проводить измерения как на рабочих пластинах, так и на тестовых структурах.
Загрузка подложек осуществляется вручную. Установка CV-1500 позволяет выполнять картирование поверхности от точки к точке в ручном режиме и анализировать данные посредством встроенного программного обеспечения. Подходит для научно-исследовательских разработок и мелкосерийного производства.
Доступны тестовые измерения образцов в лаборатории производителя.
Измеряемые материалы:
- Профиль легирования в эпитаксиальных слоях кремния p/p+, n/n+, n/p
- Диэлектрические пленки на кремнии (Si)
- Диэлектрические пленки на карбиде кремния (SiC)
- Диэлектрические пленки на арсениде галлия (GaN)
Технические характеристики:
| Режимы измерений | C-V метод I-V метод |
| Размер подложек | От Ø15 мм до Ø300 мм |
| Загрузка подложек | Ручная |
| Измеряемые параметры | CD – емкость диэлектрика (Dielectric capacitance) CET, EOT – эквивалентная толщина окисла (Capacitance/Equivalent oxide thickness) VFB – напряжение плоских зон (Flat band voltage) Dit - плотность поверхностных состояний (Interface state density) Qit – заряд поверхностных состояний (Interface Trapped Charge) Qtot – суммарный заряд в окисле (Oxide Total Charge) Vsb – напряжение потенциального барьера (Semiconductor Surface Barrier) IL – ток утечки диэлектрика (Dielectric Leakage Current) |
| Управление | Автоматическое на базе OS Windows |
