Эллипсометр Semilab SE-1000 имеет модульную конструкцию и представляет собой высокоэффективный измерительный прибор, который, благодаря компактности и функциональности, прекрасно подходит для решения R&D задач. Прибор оснащен ручным гониометром, образцы на столике перемещаются вручную. Гибкая конфигурация эллипсометра позволяет добавлять в конструкцию электрофизические методы измерений.
Прибор позволяет проводить бесконтактный, неразрушающий оптический анализ одно- и многослойных структур на подложках диаметром до 200 мм, а также определять толщину тонкопленочных образцов и их оптические свойства. Метод вращающегося компенсатора (rotating compensator), реализованный в конструкции эллипсометра SE-1000, обеспечивает постоянство поляризации падающего света для получения воспроизводимых результатов. Система оснащена специальным программным обеспечением для проведения измерений и анализа полученных данных (SAM/SEA). Имеется встроенная библиотека материалов (более 500) с известными показателями преломления и поглощения. Управление системой осуществляется с помощью стационарного ПК или ноутбука через внешнюю сеть, или же с помощью интерфейсной сенсорной панели.
Узнать теоретические основы эллипсометрии, а также особенности моделей и принцип работы эллипсометров Semilab, можно в нашей статье - «Эллипсометрия в микроэлектронике».
Технические характеристики эллипсометра SE-1000 | |
---|---|
Спектральный диапазон |
380 … 1000 нм (стандарт) 245 … 1000 нм (опция) |
Источник света | Ксеноновая лампа 75 Вт |
Размер пятна | 365х470 мкм |
Время измерения по всему спектральному диапазону | 1 сек |
Подложкодержатель |
Фиксированный Ø200 мм Ручное позиционирование по XY: 60х60 мм (опция 100х100 мм) Ручная подстройка по Z Центрирующие пины для позиционирования образца |
Гониометр |
Ручной Угол наклона 60° - 75° с шагом 5° (опция от 40°) Измерение пропускания и калибровка при угле 90° |
Управление | ПК или ноутбук с комплектом специализированного ПО для измерений (SAM) и анализа данных (SEA) |
Точность измерений на стандартном образце ~1200A SiO2/Si |
Толщина: <9 A Воспроизводимость толщины (1σ): < 0,3 A Показатель преломления: < 0,009 Воспроизводимость показателя преломления (1σ): < 0,003 |
Габариты (ДхШхВ) | 1141х715х850 мм |