Компактный автоматизированный кластер нанесения проявления фоторезиста
|
Конфигурация: |
1C1D 2C2D |
|
Материал пластин |
Si, сапфир, GaAs, InP, GaN, SiC, LT, LN и др. |
|
Размер пластин |
50 – 150 мм (опция 200/300 мм) |
|
Размер топологии |
≥0,35 мкм (опция ≥90 нм) |
|
Применимый процесс |
G-line, i-line, Pl (полиимид) Опция KrF, ArF, SOG, SOC |
|
Область применения |
МЭМС, силовые приборы, радиочастотные технологии, оптоэлектроника, светодиоды, научные исследования и др. |
|
Размеры: |
1180*1450*2040 мм (Ш*Г*В) |
1. Возможность использования широкой линейки фоторезистов и проявителей, наличие до 12 горячих/холодных плиток.
2. Максимальная функциональность при небольшой площади в чистом помещении (~1.7 м2) для задач мелко-серийных производств и научно-исследовательских лабораторий;
3. Можно одновременно использовать 2 размера пластин без переналадки установки;
4. Обладает полным набором функций, включая ГМДС (HMDS), удаление краевого валика (EBR), отмывку обратной стороны (BSR), RRC, защиту сопла от засыхания, а также автоматическую очистку;
5. Может быть оснащено удобным сменным соплом подачи фоторезиста игольчатого типа;
6. Опционально доступен контроль температуры проявителя фоторезиста.
7. Модульная конструкция, адаптируемая под задачи заказчика
Пример конфигурации установки
|
Конфигурация: |
1C1D 2C2D |
|
Материал пластин |
Si, сапфир, GaAs, InP, GaN, SiC, LT, LN и др. |
|
Размер пластин |
50 – 150 мм (опция 200/300 мм) |
|
Размер топологии |
≥0,35 мкм (опция ≥90 нм) |
|
Применимый процесс |
G-line, i-line, Pl (полиимид) Опция KrF, ArF, SOG, SOC |
|
Область применения |
МЭМС, силовые приборы, радиочастотные технологии, оптоэлектроника, светодиоды, научные исследования и др. |
|
Размеры: |
1180*1450*2040 мм (Ш*Г*В) |
