Описание
Измерения в данной установке реализованы на основе вихревых токов, возникающих в образце при помещении его в переменное магнитное поле. Измерения осуществляются полностью в автоматическом режиме, с заданием до 217 точек на поверхности и последующим формированием 2D/3D карты измерений. Возможна работа с круглыми подложками диаметром от 50 до 200 мм. Загрузка подложек осуществляется вручную. Возможность установки до 3 измерительных головок, позволяет покрыть большой диапазон измеряемых значений. Широкий спектр рабочих материалов, точность измерений в соответствии со стандартами ASTM, компактный дизайн, простота использования, автоматизация, позволяют использовать данную установку как в научно-исследовательских целях, так и на крупносерийном производстве.
Область применения:
- Полупроводниковые материалы, материалы солнечных элементов (Si, poly-Si, SiC и т.д.)
- Наноматериалы (углеродные нанотрубки, DLC, графен, серебряные нанопроволоки и т.д.)
- Тонкие проводящие пленки (металл, ITO, IZO т.д.)
- Эпитаксиальные слои, легированные образцы
- Сложные полупроводниковые материалы (GaAs, GaN, InP, GaSb и т.д.)
Технические характеристики:
| Режим работы | Автоматический |
| Управление | Специализированное ПО и ПК |
| Размер образца |
Ø50 – 200 мм Опция до 300 мм |
| Количество измерительных головок | До 3 |
| Функция 2D/3D картографирования | Наличие |
| Диапазон измерения поверхностного сопротивления [Rs], в зависимости от измерительной головки |
0,005 – 0,01 Ом/□ 0,01 – 0,5 Ом/□ 0,5 – 10 Ом/□ 10 – 1000 Ом/□ 1000 – 3200 Ом/□ |
| Диапазон измерения удельного сопротивления [R], в зависимости от измерительной головки |
0,001 – 0,05 Ом∙см 0,05 – 0,5 Ом∙см 0,5 – 60 Ом∙см 60 – 200 Ом∙см |
