Измерения в данной установке реализованы на основе вихревых токов, возникающих в образце при помещении его в переменное магнитное поле. Установка позволяет работать с круглыми подложками диаметром от 20 до 200 мм, а также с квадратными подложками размером до 156х156 мм. Широкий спектр рабочих материалов, точность измерений в соответствии со стандартами ASTM, компактный дизайн и простота использования позволяют использовать установку как в научно-исследовательских целях, так и на мелкосерийном производстве.
Измеряемые материалы:
- Полупроводниковые материалы, материалы солнечных элементов (Si, poly-Si, SiC и т.д.)
-
Наноматериалы (углеродные нанотрубки, DLC, графен, серебряные нанопроволоки и т.д.)
-
Тонкие проводящие пленки (металл, ITO, IZO т.д.)
-
Эпитаксиальные слои, легированные образцы
-
Сложные полупроводниковые материалы (GaAs, GaN, InP, GaSb, и т.д.)
Особенности:
- Простота использования и компактный дизайн
-
Возможность работы с пластинами диаметром до 200 мм
-
Возможность работы с квадратными подложками размером до 156х156 мм
-
Запуск автоматического измерения, после установки образца под зондом
-
Легкость настройки измерений с помощью поворотного переключателя
-
4 конфигурации установки в зависимости от диапазона измерений (0,01~0,5 Ом/□, 0,5~ 10 Ом/□, 10~1000 Ом/□, 1000~3000 Ом/□)