ГК «Диполь» на выставке «SemiExpo Russia-2018»

29-30 мая пройдет выставка-форум индустрии микроэлектроники и полупроводников «SemiExpo Russia-2018». На мероприятии компания «Диполь» представит инновационные измерительные приборы и технологическое оборудование для производства микроэлектроники.

Эксперты направления микроэлектроники представят наиболее востребованные на рынке решения для задач литографии при производстве приборов электроники и микроэлектроники. На нашем стенде Вы увидите следующее технологическое оборудование:

• Установка совмещения-экспонирования AG500-6N-SLC. Современная компактная настольная установка для контактной литографии, которую мы разработали совместно с нашими партнерами из Тайваня специально для российского рынка. “Облегченная” версия SLC машин серии AG500 предоставляет нашим заказчикам уникальный баланс качества литографии высокого разрешения и высокой надежности платформы, в которой намеренно не используются компьютеры и ПЛК.
• Установка плазменной обработки Diener Pico, отличающаяся невероятной гибкостью конфигурации для разных задач от кристального производства до сборки и корпусирования. Данная модель идеально подходит для проведения всех основных видов плазменной обработки. Для посетителей выставки будет продемонстрирована конфигурация с металлической камерой и низкочастотным генератором, наиболее подходящая для задач сборки.

Кроме того, на стенде компании «Диполь» будут продемонстрированы одни из самых востребованных моделей измерительных приборов от Keysight Technologies:

• Параметрический одноканальный анализатор B2901A сочетает в себе функции 4-квадрантного источника, измерителя напряжения и тока. Такое сочетание позволяет с высокой точность определять вольт-амперные характеристики приборов без применения дополнительных устройств или изменения конфигурации подключений.
• Анализатор мощных полупроводниковых приборов B1506A - оборудование широкого спектра применения, способное измерить любые параметры мощных устройств в различных условиях. Устройство позволяет определить такие параметры как: напряжение пробоя, емкость трех выводов полевых транзисторов, сопротивление в открытом состоянии, вольт-амперные характеристики, а также заряд на затворе и потери мощности.