Описание
Plasma-Therm Mask Etcher — это установка, специально предназначенная для производства фотошаблонов высокого разрешения. Установка использует технологию индуктивно-связанной плазмы и позволяет получать элементы с топологическим размером менее 22 нм. Благодаря особой конструкции, Mask Etcher обладает набором уникальных технологических преимуществ, необходимых при производстве фотошаблонов:
Показать еще
- Сохранение высокой степени чистоты камеры на протяжении всего срока эксплуатации.
- Быстрое восстановление после чистки.
- Стабильность параметров процесса не зависит от длительности эксплуатации.
Ключевые преимущества установки Mask Etcher:
- Контроль равномерности процесса травления.
- Производство фотошаблонов с наименьшим сдвигом минимального размера.
- Высокая воспроизводимость результатов.
- Высокая степень чистоты в камере.
- Малое краевое размытие рисунка.
- Возможность работы с такими материалами, как Cr, MoSi, кварц.
Основные технические характеристики установки Mask Etcher
| Размер электрода | От 11″ до 15,6″ в диаметре |
| Загрузка |
Автоматизированная загрузочная станция (ALS) Открыватель контейнера SMIF с буферной зоной |
| Система контроля | На базе ControlWorks |
| Вакуумный насос | Турбомолекулярный насос 1200 л/с |
| Газовые линии | До 8 каналов с цифровыми РРГ |
| Система отслеживания окончания процесса (на базе EndPointWorks) |
Оптический эмиссионный интерферометр (OEI) Лазерный рефлектометр (LES) |
| ВЧ-генератор | ICP: 2000 Вт, 2 МГц |
| Варианты установки | Через стенку ЧПП |
| Электропитание | 380 В, 50 Гц, 3 фазы |
| Сертификация | CE, SEMI-S2, S8 |
