Установка плазмохимического травления Takachi ICP

Takachi ICP компании Plasma-Therm — это современная, универсальная, надежная система плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме, которая идеально подходит для решения широкого спектра технологических задач в области микроэлектроники. Takachi ICP — последняя разработка компании Plasma-Therm, в которой применены промышленные технологии оборудования компании Plasma-Therm. Высокая производительность и низкая стоимость обслуживания установки Takachi ICP позволяют использовать ее как для R&D-лабораторий, так и для пилотного производства.

Установка Takachi ICP в базовой комплектации оснащена автоматическим вакуумным шлюзом, что позволяет эффективно проводить процесс травления практически всех типов материалов, которые используются на микроэлектронных производствах:

• GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe.
• SiC, Al2O3, DLC.
• Si, SiO2, SiNx.
• Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo.
• Резисты, полиимиды.

Ключевые преимущества установки Takachi ICP:

• Максимальный размер обрабатываемой подложки 200 мм (поштучная обработка, наличие вакуумного шлюза в базовой комплектации).
• Равномерность травления по толщине и воспроизводимость результатов от пластины к пластине — лучше ±3%.
• Повышенная безопасность и чистота процесса за счет шлюзовой загрузки.
• В комплекте с установкой поставляется библиотека стандартных технологических процессов, которые гарантируются производителем.
• Простой, интуитивно понятный интерфейс.
• История аварийный сообщений, контроль рецептов в процессе работы — вывод данных о процессе на дисплей в режиме реального времени.
• Программное обеспечение позволяет записывать параметры процессов для дальнейшего анализа.
• Многоуровневый доступ пользователей.
• Возможность удаленного управления и контроля состояния системы.
• Наличие различных вариантов системы отслеживания окончания процесса (OES, OEI, LEPD).
• Современная архитектура на основе ПЛК и DeviceNet: безопасная работа, легкая диагностика и минимальное количество проводов.
• Простота использования и обслуживания.
• Малая занимаемая площадь <1 м2.
• Возможность установки через стену чистого производственного помещения.
• Возможность изготовления опций и оснастки «под заказ».

Основные опции

• Система отслеживания окончания процесса:
  • Оптическая эмиссионная спектроскопия (OES)
  • Оптическая эмиссионная интерферометрия (OEI)
  • Лазерная интерферометрия (LEPD)
• Дополнительные газовые линии (до 20 в сумме),
• Расширение температурного интервала электрода (например, –25...+60 С, либо диапазон на заказ),
• Специальные держатели образцов,
• Нагреватели вакуумной камеры и вакуумного тракта,
• Удаленный мониторинг состояния системы SECS/GEM,
• Пакет для установки через стенку ЧПП,
• Размещение газового шкафа отдельно от каркаса установки,
• Расширенная гарантия производителя,
• Специальные опции под заказ